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一种NiMnZn铁氧体材料及其制备方法
专利
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一种低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法
专利
专利摘要: 本发明属于软磁铁氧体材料领域,具体公开一种低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法。该材料由主成分和副成分组成,所述主成分及含量以氧化物计算为Fe2O352.4~54.3mol%、ZnO2~13mol%和MnO余量;按主成分总重量计的副成分为SiO2100~250ppm、CaCO3150~1600ppm、Nb2O550~500ppm、TiO2200~1500ppm和SnO2200~6000ppm,其中副成分TiO2和SnO2的含量比以氧化物计算为TiO2SnO2=1(1-4)。本发明还提供了一种MnZn铁氧体制备方法,其中烧结工序中第二升温阶段从700℃至保温温度的氧分压浓度为2%以下。通过上述方式,本发明实现了电子器件的节能化,使损耗得到较大幅度的改善,提高了可靠性。 -
自蔓延高温合成NiCuZn铁氧体粉体的方法
专利
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一种宽温低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法
专利
专利摘要: 本发明公开了一种宽温低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法。该材料由主成分和副成分组成,所述主成分及含量以氧化物计算为Fe2O352.4~54.3mol%、ZnO2~13mol%和MnO余量;按主成分总重量计的副成分为SiO2100~250ppm、CaCO3150~1500ppm、Nb2O550~500ppm、TiO2200~1500ppm、SnO2200~5000ppm和Co2O33000~5000ppm。本发明还提供了一种宽温低损耗MnZn铁氧体制备方法,其中烧结工序中从700℃至保温温度的氧分压浓度为1.5%以下。通过上述方式,本发明实现了在较宽温度范围内的低损耗。 -
低损耗高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料及其制备方法
专利
专利摘要: 本发明公开了一种低损耗高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料及其制备方法。该材料由主成分和副成分组成,主成分及含量以氧化物计算为Fe2O353~55mol%、ZnO6~8mol%、MnO35~37mol%及NiO1~4mol%;按主成分总重量计的副成分为SiO2100~250ppm、CaCO3150~1600ppm、Nb2O550~500ppm、ZrO2?50~300ppm、SnO2200~6000ppm和Co2O3500~2000ppm。本发明低损耗高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料及其制备方法具有以下优点设计合理,同时可以利用现有的生产设备就能够实现磁芯低损耗及饱和磁通密度的提高,具有良好的直流叠加特性和储能特性。 -
一种复合纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法
专利
专利摘要: 本发明涉及ZnO压敏陶瓷材料,特指一种复合纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法。以可溶性锌盐,铋盐,钴盐,锰盐为原料,分别配置成水溶液,以摩尔百分含量计算,按照95%的ZnO,3%的Bi2O3,1%的CoO,1%的MnO的配比混合,搅拌均匀;将氨水缓慢加入步骤(1)得到的混合溶液中,调节pH在8~8.5,得到混合溶液,继续搅拌至混合均匀;把步骤(2)所得的沉淀抽滤,并用去离子水和乙醇充分洗涤去除杂质,将得到的前驱体放在水或者乙醇介质中回流2~8h,回流温度控制在70~80℃;最后将回流得到的粉体抽滤,并用去离子水和乙醇充分洗涤去除杂质,最后在真空干燥箱中干燥,研磨后得到纳米复合ZnO粉体。 -
苎麻形态ZnO气敏陶瓷材料的制备方法
专利
专利摘要: 本发明公开了一种苎麻形态ZnO气敏陶瓷材料的制备方法,具体按照以下步骤实施步骤1,苎麻纤维的预处理,即将苎麻纤维经过洗、打纤处理、脱胶碱后清洗得到碱处理苎麻纤维;步骤2,苎麻纤维浸渍处理,首先配制浸渍溶液然后将步骤1得到的碱处理苎麻纤维进行反复浸渍直至浸渍率保持不变;步骤3将步骤2中完成浸渍处理的碱处理苎麻纤维浸渍产物进行有氧烧结处理。本发明的方法解决了现有制备方法制备的金属ZnO半导体气敏材料对目标气体敏感性差的问题。 -
一种NiZn软磁铁氧体及其制备方法
专利
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一种Li-Zn铁氧体材料制作方法
专利
专利摘要: 本发明涉及一种Li-Zn铁氧体材料,包括铁氧体磁粉和无机粘结剂,通过研磨搅拌、冷压成型和高温烧结制得,其特征在于所述的铁氧体磁粉为Li2-0.5xZnxFe2-0.5xO4,x=1、2、3,所述的无机粘结剂为硅溶胶。本发明的优点在于1)本发明添加硅烷偶联剂能有效减少粒子团聚,提高粉体的分散性和流动性,提高Li-Zn铁氧体的成型密度和均匀性。2)本发明的Li-Zn铁氧体具有很好的高频软磁特性和较低的烧结温度。3)本发明采用硅溶胶作为无机粘结剂,在高温烧结过程中,硅元素可起到掺杂作用,提高Li-Zn铁氧体的磁性能,改善Li-Zn铁氧体的微观结构。 -
一种高频高电阻率Li-Zn铁氧体软磁材料的制备方法
专利
专利摘要: 本发明涉及一种高频高电阻率Li-Zn铁氧体软磁材料的制备方法。该方法首先通过在硫酸亚铁溶液中加入硫酸锌和醋酸锂制得分散混合液,然后在高压反应釜中进行水热晶化反应,制得混合粉末;最后将制得的混合粉末和硅溶胶进行研磨搅拌、冷压成型,进行焙烧烧结,制得Li-Zn铁氧体软磁材料。本发明的优点在于1)本发明添加硅烷偶联剂能有效减少粒子团聚,提高粉体的分散性和流动性,提高Li-Zn铁氧体的成型密度和均匀性。2)本发明的Li-Zn铁氧体具有很好的高频软磁特性和较低的烧结温度。3)本发明采用硅溶胶作为无机粘结剂,在高温烧结过程中,硅元素可起到掺杂作用,提高Li-Zn铁氧体的磁性能,改善Li-Zn铁氧体的微观结构。 -
一种用于单线金刚石切割CVDZnSe/ZnS薄片的卡具制作方法
专利
专利摘要: 一种用于单线金刚石切割CVDZnSe/ZnS薄片的卡具,它包括卡具底板(1),卡具底板上设有调整水平的螺孔以及用于将卡具锁定于切割机工作平台上的T型槽;在卡具底板上垂直固定有两个铝圆柱(5),两个铝圆柱侧面通过螺杆(8)、螺母(7)铝垫片(6)连接可拆卸铝板(4),加工工件(3)粘结在可拆卸铝板(4)上并与石墨板2相粘结,三者成为一个整体,所述的调整水平的螺孔内设有调整螺钉(9)。本装置简单可靠,实现了无需对刀切割CVDZnSe/ZnS晶体,保证了加工的精度,提高了材料利用率。 -
Cu-ZnO复合材料的制备方法
专利
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一种高阻抗MnZn铁氧体材料及制备方法
专利
专利摘要: 本发明公开了一种高阻抗MnZn铁氧体材料及制备方法,其材料由主成分和辅助成分组成,特征在于,按摩尔百分比,以氧化物计算,主成分包括52.0-54.0mol%Fe2O3,24.0-26.0mol%MnO和20.0-22.0mol%ZnO;按重量百分比,以氧化物计算,基于所述主成分的总重量,辅助成分包括0.01wt%-0.08wt%MoO3,0.01wt%-0.08wt%CaCO3,0.01wt%-0.08wt%V2O5中的至少一种;具有高阻抗、低能耗且高起始磁导率的特性。 -
一种高性能超细NiZn铁氧体的制备方法
专利
专利摘要: 一种高性能超细NiZn铁氧体的制备方法,首先计算反应物原料的摩尔比为Ni:Zn=0.4∶0.6,取Fe、ZnO、NiO、Fe2O3和NaClO4作为原料,其中Fe、Fe2O3和NaClO4的摩尔比为2k∶(1-k)∶0.75k,0.5<k<1;然后将反应物料装入球磨机中球磨;在15MPa的压力下压制成圆饼状坯料,在坯料顶面放上引燃剂;引发其临近的物料发生燃烧反应,释放出大量的热,同时立即关闭加热开关,燃烧反应继续进行直至物料全部反应;再后燃烧结束后得到NiZnFe2O4和NaCl的混合物,燃烧产物在炉冷却至室温后进行粉碎,然后加入蒸馏水,浸泡12~24个小时,使NaCl杂质完全溶解于蒸馏水中,抽滤洗涤,循环6次,然后产物在110℃干燥;最后将合成的NiZnFe2O4粉末以300℃/h的升温速率在1050℃保温2h,冷却至室温即可得到NiZn铁氧体粉末。 -
一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层复合结构材料的制备方法
专利
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粉煤灰/NiMnZn铁氧体核壳材料的制备方法
专利
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一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法
专利
专利摘要: 本发明涉及针对于无线充电中铁氧体材料作为屏蔽材料应用背景的NiCuZn铁氧体材料及其制备方法。该铁氧体主成份和掺杂成份均以氧化物计。主成份以摩尔百分比为:Fe2O3:48.5mol%~49.5mol%;ZnO:25mol%~29mol%;NiO:11.5mol%~20.5mol%;CuO:5mol%~9.5mol%;掺杂成份质量百分比为:0≤V2O5≤0.12wt%。本发明采用传统的氧化物烧结制备工艺,步骤为:(1)原料混合,(2)预烧,(3)掺杂,(4)二次球磨,(5)造粒成型,(6)烧结。制备出的NiCuZn铁氧体材料在100KHz~200KHz频率区间,起始磁导率μi为950~1000,100KHZ、100mT、25℃下功率损耗Pcv为460~500mW/cc,饱和磁感应强度Bs≥360mT,矫顽力Hc<32A/m。实现了无线充电中铁氧体材料作为屏蔽材料要求的:较低的功率损耗Pcv和Hc,更高的μi和较高的Bs。 -
具有高频高阻抗的MnZn铁氧体材料及其制备方法
专利
专利摘要: 本发明公开了一种具有高频高阻抗MnZn铁氧体材料,由主成分和辅助成分组成,其特征在于,按摩尔百分比,以氧化物计算,主成分包括46.0-54.0mol%Fe2O3,25.0-27.0mol%MnO和19.0-21.0mol%ZnO;按重量百分比,以氧化物计算,基于所述主成分的总重量,辅助成分包括0.03wt%-0.08wt%TiO3,0.03wt%-0.08wt%CaCO3,0.03wt%-0.08wt%V2O5中的至少一种;具有在100MHz时,大于200·Ωm的直流电阻率、25℃的居里温度和≥7000的起始磁导率。
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